جزوه درس الکترونیک 1- مبحث 11

ساختمان ترانزیستور دوقطبی (BJT) (بازگشت)

دریافت پرونده مربوط به این مبحث: PDF - MS Word

از اتصال back to back دو ترانزیستور به صورت زیر ترانزیستور pnp به دست میاید که در مدار به صورت مکمل استفاده میشود

 از اتصال face to face دو ترانزیستور به صورت زیر ترانزیستور npn به دست میاید که دارای سرعت بیشتری نسبت به ترانزیستور pnp است زیرا موبیلیتی الکترون بیشتر از حفره است.

اما صرفا با وصل کردن دو دیود ترانزیستور به دست نمیاید ! نباید Junction  بین دو دیود دیده شود مانند خود دیود که نباید مرز بین نواحی n و p معلوم باشد.

Emitter Base Junction (EBJ)

Collector Base Junction (CBJ)