|
جزوه درس الکترونیک 1- مبحث 12
مناطق سه گانه ترانزیستور (بازگشت)
دریافت پرونده مربوط به این مبحث: PDF -
MS Word
پهنای
کل لایه ها تقریبا 150 برابر پهنای لایه وسط است
پهنای
کل > پهنای امیتر >> پهنای بیس
دانسیته
ی ناخالصی در طرفین تقریبا 10 برابر دانسیته ی نا خالصی در بیس است
دانسیته
امیتر> دانسیته کلکتور >> دانسیته بیس
عناصر
Integrated
معمولا
ترانزیستور تولید انبوه دارد لذا یک نوار
Si قرار
میدهند
و
روی
آن
E,B,C را
میکنند
که
به
این
تکنولوژی
Planar Technology
میگویند.
معمولا
C را
خیلی
منظم
میسازند
و
structure
خوبی
دارد.
به
همین
دلیل
مقاومت
C کمتر
از
E و
بسیار
کمتر
از
B است
عناصر
Discrete
گرد آورنده: زهرا مجردی
|
