جزوه درس الکترونیک 1- مبحث 13

مناطق تقویت کنندگی و سویچ زنی با استفاده از بایاسینگ مناسب (بازگشت)

دریافت پرونده مربوط به این مبحث: PDF - MS Word

اگر ترانزیستور به شیوه زیر بایاس گردد یعنی:

دیود کلکتور- بیس در بایاس معکوس و دیود امیتر- بیس در بایاس مستقیم باشد ترانزیستور در ناحیه فعال است.

چون بیس چگالی خیلی کمی دارد جریان درC به خوبی Collect میشود

ترانزیستور در سه ناحیه کار میکند که ناحیه کار ترانزیستور را بایاس ترانزیستور تعیین میکند:

1-       On

2-       ناحیه تقویت کنندگی- ناحیه اکتیو - ناحیه خطی یا ناحیه سیگنال کوچک

3-       Off

نواحی سوئیچ زنی Transient

ناحیه اکتیو

اگر هر دو منبع ولتاژ را معکوس کنیم هر دو دیود قطع میشوند

در حالت On ولتاژهای بایاس طوری هستند که هر دو اتصال دیودی در حالت فوروارد قرار دارند

در حالت Off ولتاژهای بایاس طوری هستند که هر دو اتصال دیودی در حالت معکوس قرار دارند

دیود سمت چپ در حالت فوروارد کار میکند پس

_معمولا

 به  به طور مستقیم ربط دارد

 در اوراق مشخصه ترانزیستور آمده و تقریبا برابر با 100 است

در حالت DC

I_s=Current Scale Factor

  =Current Size   Factor

10^-12  to  10^-15    A

 به ازای هر 5 تا 10 درجه افزایش دما 2 برابر میشود

  درجه تقویت جریان مدار اتصال کوتاه امیتر مشترک

اگر  شود در نتیجه:   

در ناحیه اکتیو  EBJ فوروارد و CBJ معکوس بایاس میشوند

ناخالصی امیتر< نا خالصی کلکتور << ناخالصی بیس

در دیود امیتر بیس:

ناحیه بیس باید مقاومت بالایی داشته باشد تا جریان کمی بکشد و حفره های کمی را جا به جا کند

ترانزیستور: منبع جریان کنترل شده با ولتاژ

منبع جریان را میتوان کنترل شده با جریان بیس هم در نظر گرفت

I_s=Current Scale Factor

 Is  با عرض بیس نسبت عکس دارد و هر چه عرض بیس کمتر باشد این جریان بیشتر میشود

و با دما و سطح مقطع ترانزیستور نسبت مستقیم دارد به طوری که با هر 10 درجه افزایش دما این جریان 2 برابر میشود

  طبق تعریف

   را بازده تزریق ترانزیستور گویند Emitter Injection Efficiency

را ضریب انتقال بیس گویند Base Transport Factor 

درجه تقویت جریان اتصال کوتاه سیگنال بزرگ مدار بیس مشترک

اتصال کوتاه= ماکزیمم gane جریان

آلفا هرگز به یک نمیرسد

در مدار امیتر مشترک

بتا در ناحیه فعال

بتا در ناحیه فعال معکوس

  معکوس کم میشود

دقت میکنیم که ترانزیستور یک ساختار متقارن نیست

سایز کلکتور>سایز امیتر>> سایز بیس

ناحیه فعال بهترین ناحیه جهت تقویت کنندگی است چون بتای بزرگ دارد