|
الکترونیک 1- آزمونهای گذشته (بازگشت)
آزمون پایان ترم، ترم دوم سال تحصیلی 79-1378،
تاریخ 08/04/1379
دریافت پرونده مربوط به این آزمون: PDF -
MS Word
1)
در مدار شكل زير ابتدا جريان باياس ترانزيستور را بدست آوريد و سپس بهره ولتاژ ،
بهره جريان ، امپدانس ورودي و خروجي را تعيين كنيد . ( 4 نمره )
(β
= 70 (
2)
مدارزيريك تقويت كننده چند طبقه مي باشد .
الف
) اگر β = 100
باشد باياس ترانزيستورها را مشخص كنيد .
ب
) سپس بهره ولتاژ ، امپدانس ورودي و حداكثر دامنه سيگنال متقارن خوروجي را بدست
آوريد . ( 6 نمره )
(hoe¹
= 50 kΩ
(
3)
در مدار زير ، مي دانيم كه جريان
DC ترانزيستورها
و ديود DI
مساوي و
برابرIQ
مي باشد. بهره ولتاژ را در حالت كلي بدست آوريد . ( 2.5 نمره )
براي همه المانها
η
= 1 :
4)
در شكل زير ، مقاومت بار درو منبع مشخص شده اند . جهت تقويت سيگنال نياز به يك
تقويت كننده يك طبقه با بهره ولتاژ بيشتر از 120 و امپدانس ورودي بيشتر از2
kΩ
مي باشد . با تجه به اينكه
Vac=12 v
، تقويت كننده را طوري طراحي كنيد كه از پايداري حرارتي مناسبي برخوردار
بوده و داراي حداكثر دامنه سيگنال خروجي باشد . ( در محاسبه بهره ولتاژ اثر
RL
را نيز در نظر بگيريد ) ( 5 نمره )
,
β = 100
RL
= 10 kΩ
5)
در مدار شكل زير ، از ديود هاي
D1 , D2
براي اصلاح رفتار حرارتي مدار استفاده شده است . مقاومت هاي
R1, R2طوري
تعيين كنيد كه جريان كلكتور به تغييرات
VBE
حساس نباشد .
( 2.5 نمره )
(β
= 100 (
6)
در مدار زير
،
hie=3 kΩ
و
hoe¹ = 20 kΩ
مي
باشند . بهره ولتاژ و امپدانس ورودي و خروجي مدار را در حضور مقاومت
RL
بدست آوريد و
با مقادير بدست آمده بدون RL
مقايسه كنيد . ( 2.5 نمره )
(β
= 100 (
موفق
باشيد
گرد آورنده: زهرا آقاکثیری
|
